[发明专利]湿环境下电子束直接纳米刻蚀或印刷的方法

摘要

一种湿环境下电子束纳米刻蚀、印刷的方法属于电子曝光领域。该方法首先在需要刻蚀、印刷的基片表面，附着一层溶液、湿气氛或者湿环境固化层，然后放置于电子束曝光装置中进行电子束曝光，即可在基片上刻蚀、印刷出所需的纳米微加工图案。该方法中所用的湿环境溶液多为去离子水、含金属离子溶液、络合物或者其它对环境友好型溶液。此方法在电子束曝光后即可得到纳米尺度微加工成品，无需传统电子束刻蚀、印刷过程中所需的光阻等化学成分以及显影、定影、漂洗、刻蚀、镀金等繁杂加工过程，且电子束曝光速率快，电子束光刻、印刷线宽均匀，线宽尺寸与电子束尺寸相同，因此能够极大地提高生产效率，降低纳米尺度微加工生产成本。

主权项

湿环境下电子束直接纳米刻蚀或印刷的方法，其特征在于依次包括如下步骤：(1)制作湿环境覆膜通过在基片表面，悬滴去离子水、含无机离子的水溶液或有机络合物溶液，从而在基片表面形成厚度为1nm‑1cm的液态覆膜层；或者在基片表面密封水蒸汽层，或含结晶水或吸附水的固体层，此层厚度需首先换算成水的含量，并保证换算后水层平均厚度在1nm‑1cm之间；(2)电子束曝光对于允许湿环境操作的电子束曝光设备直接对基片进行电子束曝光；对于不允许湿环境操作的电子束曝光设备，需首先密封湿环境覆膜层，然后将基片放置于电子束下进行曝光，从而刻蚀或印刷出所需的纳米尺度微加工图案；(3)清洗基片对曝光后的基片进行清洗，然后将基片烘干。