[发明专利]一种大面积平板式PECVD设备反应腔压力的控制装置有效
申请号: | 201410252214.8 | 申请日: | 2014-06-09 |
公开(公告)号: | CN104032283A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 刘良玉;陈晖;禹庆荣;杨彬;苏卫中 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种大面积平板式PECVD设备反应腔压力的控制装置,包括反应腔体,所述反应腔体入口端与送气系统连通,所述反应腔体出口端通过气路管道与真空泵连通,所述反应腔体与所述真空泵之间的气路管道上安装有真空蝶阀;所述真空蝶阀与所述反应腔体之间的气路管道与微调气路连通,所述微调气路由质量流量控制器和相应的管道组成。所述的反应腔体出口端气路管道安装有压力传感器;所述真空蝶阀的电子执行器、微调气路中的质量流量控制器与控制器连接。本发明实现了PECVD工艺准备阶段反应室压力的快速降低和工艺过程中反应腔真空度的精确控制功能。 | ||
搜索关键词: | 一种 大面积 平板 pecvd 设备 反应 压力 控制 装置 | ||
【主权项】:
一种大面积平板式PECVD设备反应腔压力的控制装置,包括反应腔体(7),其特征在于,所述反应腔体(7)入口端与送气系统连通,所述反应腔体(7)出口端通过气路管道(9)与真空泵(1)连通,所述反应腔体(7)与所述真空泵(1)之间的气路管道(9)上安装有真空蝶阀(2);所述真空蝶阀(2)、反应腔体(7)之间的气路管道(9)与微调气路(10)连通;所述的微调气路(10)包括质量流量控制器(4)和与所述质量流量控制器(4)气路接口连通的管道;所述的反应腔体(7)出口端气路管道(9)内安装有压力传感器(5);所述真空蝶阀(2)的电子执行器、质量流量控制器(4)、压力传感器(5)均与控制器相连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的