[发明专利]一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法，该方法包括通过离子注入法将离子注入原始基板的表面，从而在原始基板中形成薄膜层、分离层和余质层；使目标基板与原始基板的薄膜层接触，进而利用晶片键合法将原始基板与目标基板键合在一起，以形成键合体；对键合体进行加热，使得薄膜层和余质层分离；在薄膜层和余质层分离之后，在装有扩散剂的预定容器内以200℃～700℃的温度对薄膜层加热，其中，扩散剂包括氧化锂和硝酸锂中的至少一种。本发明的方法，可以有效地避免单晶薄膜缺失锂相的问题，制作出纳米级厚度、膜厚均匀、组分接近理想化学计量比的单晶薄膜。

主权项

一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法，所述方法包括下述步骤：通过离子注入法将离子注入到原始基板的表面，从而在原始基板中形成薄膜层、分离层和余质层，其中，薄膜层位于原始基板的表面，分离层位于薄膜层和余质层之间，注入的离子分布在分离层内；使目标基板与原始基板的薄膜层接触，进而利用晶片键合法将原始基板与目标基板键合在一起，以形成键合体；对键合体进行加热，使得薄膜层和余质层分离；在300℃～600℃的条件下对分离后的薄膜层进行退火处理；在装有扩散剂的预定容器内以200℃～700℃的温度对薄膜层加热，其中，扩散剂包括氧化锂和硝酸锂中的至少一种，其中，在对薄膜层加热的步骤中，向预定容器通入氧气，使薄膜层在200℃～700℃的温度下被加热以使氧化锂扩散到薄膜层中。