[发明专利]一种高速功率开关电路的阵列结构在审
申请号: | 201410253321.2 | 申请日: | 2014-06-09 |
公开(公告)号: | CN105207656A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 袁斌;毛军发;李晓春;彭天昊;刘楠楠;李翀;郎少波;曾天民 | 申请(专利权)人: | 上海紫竹新兴产业技术研究院;袁斌 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687;H03K17/04 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 赵志远 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种高速功率开关电路的阵列结构,用于高压高重频脉冲源产生频率可调的高重频脉冲信号,其特征在于,所述的包括阵列结构包括依次连接的分时控制芯片、驱动芯片阵列、功率MOSFET开关阵列、脉冲合成器与负载电路,所述的分时控制芯片产生分时脉冲信号通过驱动芯片阵列分别驱动功率MOSFET开关阵列,再将功率MOSFET开关阵列产生的多路分时脉冲信号通过脉冲合成器合成,从而得到高重频、且频率可调的脉冲信号。与现有技术相比,本发明具有实现脉冲信号的频率可调,同时提高了开关电路的速度、降低开关损耗,提高了开关的可靠性、减小电磁干扰问题等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 高速 功率 开关电路 阵列 结构 | ||
【主权项】:
一种高速功率开关电路的阵列结构,用于高压高重频脉冲源产生频率可调的高重频脉冲信号,其特征在于,所述的包括阵列结构包括依次连接的分时控制芯片、驱动芯片阵列、功率MOSFET开关阵列、脉冲合成器与负载电路,所述的分时控制芯片产生分时脉冲信号通过驱动芯片阵列分别驱动功率MOSFET开关阵列,再将功率MOSFET开关阵列产生的多路分时脉冲信号通过脉冲合成器合成,从而得到高重频、且频率可调的脉冲信号。
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