[发明专利]多芯片层叠封装方法

摘要

本发明公开了一种在制程中开盲孔，从而能够综合前通孔方法和后通孔方法的优点，分割成单体前，芯片的主体结构基本成型，减少了工序间的重复作业，降低了成本，并提高了效率。且堆叠时通过匹配焊接成型，效率也比较高。

主权项

一种多芯片层叠封装方法，应用于三维封装体，将位于最上面的芯片记为表层芯片，其余为中间芯片，其特征在于，中间芯片的制作方法包括以下步骤：1）于晶圆的下表面布线，形成下表面布线层；2）于下表面布线层上覆盖下表面钝化层；3）在预定的焊盘位置蚀刻下表面钝化层直至下表面布线层，形成焊盘点位；4）在步骤3）形成的焊盘点位制作焊盘，用以接出下表面布线层；5）于晶圆的上表面需要减薄的厚度处制作上表面布线层；6）于上表面布线层上覆盖上表面钝化层；7）在预定的焊盘位置蚀刻上表面钝化层直至上表面布线层，形成焊盘点位；8）在步骤7）形成的焊盘点位制作焊盘，用以接出上表面布线层；9）在给定的区域从下表面制作盲孔直至上表面布线层；10）在盲孔内制作电连接结构，以连接上表面布线层与下表面布线层；11）在上表面钝化层上生长硅；12）对生长硅后的晶圆进行切割，研磨，分离生成单颗晶片；13）在单颗晶片上匹配焊盘制作凸点，形成中间芯片。