[发明专利]SRAM版图的生成方法有效
申请号: | 201410253555.7 | 申请日: | 2014-06-09 |
公开(公告)号: | CN103996661B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 马杰;刘梅;崔丛丛 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/8244 | 分类号: | H01L21/8244 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提出了一种SRAM版图的生成方法,先形成第一单元,然后复制第一单元形成第二单元,连接第一单元和第二单元构成SRAM,把SRAM中相同的参数归类,可以实现SRAM版图的自动生成,从而能够高效完成不同尺寸大小SRAM版图的实现,简化SRAM版图的设计,从而降低人工设计版图过程中产生的错误率,并缩短SRAM版图实现时间。 | ||
搜索关键词: | sram 版图 生成 方法 | ||
【主权项】:
一种SRAM版图的生成方法,包括步骤:定义第一反相器栅极的形状和尺寸;由所述第一反相器栅极的形状和尺寸定义出第一反相器中的第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管有源区的形状和尺寸;定义第一输入端NMOS栅极的形状和尺寸;以所述第一输入端NMOS栅极的形状和尺寸定义出所述第一输入端NMOS有源区的形状和尺寸;以所述第一输入端NMOS有源区的形状和尺寸定义出第一注入层和第一阱层的形状和尺寸;使所述第一PMOS晶体管的漏极和第一NMOS晶体管的漏极连接在一起,使所述第一输入端NMOS的有源区和第一NMOS晶体管的有源区连接在一起,并且使所述第一输入端NMOS的漏极和第一NMOS晶体管的漏极也连接在一起,从而构成第一单元;复制所述第一单元,旋转180度,形成第二单元;使所述第一单元中的第一PMOS晶体管漏极和第二单元中的第二反相器栅极相连,使所述第二单元中的第二PMOS晶体管漏极和第一单元中的第一反相器栅极相连,从而生成SRAM版图。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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