[发明专利]SRAM版图的生成方法有效

专利信息
申请号: 201410253555.7 申请日: 2014-06-09
公开(公告)号: CN103996661B 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: 马杰;刘梅;崔丛丛 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/8244 分类号: H01L21/8244
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 王宏婧
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提出了一种SRAM版图的生成方法,先形成第一单元,然后复制第一单元形成第二单元,连接第一单元和第二单元构成SRAM,把SRAM中相同的参数归类,可以实现SRAM版图的自动生成,从而能够高效完成不同尺寸大小SRAM版图的实现,简化SRAM版图的设计,从而降低人工设计版图过程中产生的错误率,并缩短SRAM版图实现时间。
搜索关键词: sram 版图 生成 方法
【主权项】:
一种SRAM版图的生成方法,包括步骤:定义第一反相器栅极的形状和尺寸;由所述第一反相器栅极的形状和尺寸定义出第一反相器中的第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管有源区的形状和尺寸;定义第一输入端NMOS栅极的形状和尺寸;以所述第一输入端NMOS栅极的形状和尺寸定义出所述第一输入端NMOS有源区的形状和尺寸;以所述第一输入端NMOS有源区的形状和尺寸定义出第一注入层和第一阱层的形状和尺寸;使所述第一PMOS晶体管的漏极和第一NMOS晶体管的漏极连接在一起,使所述第一输入端NMOS的有源区和第一NMOS晶体管的有源区连接在一起,并且使所述第一输入端NMOS的漏极和第一NMOS晶体管的漏极也连接在一起,从而构成第一单元;复制所述第一单元,旋转180度,形成第二单元;使所述第一单元中的第一PMOS晶体管漏极和第二单元中的第二反相器栅极相连,使所述第二单元中的第二PMOS晶体管漏极和第一单元中的第一反相器栅极相连,从而生成SRAM版图。
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