[发明专利]一种电喷雾微流体芯片、制作方法及掩膜版设备有效

专利信息
申请号: 201410253854.0 申请日: 2014-06-09
公开(公告)号: CN104056674A 公开(公告)日: 2014-09-24
发明(设计)人: 钱翔;徐杰;于赐龙;刘浪;余泉;倪凯;王晓浩 申请(专利权)人: 清华大学深圳研究生院
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00;G03F7/20;G03F1/38;G03F1/42
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 王震宇
地址: 518055 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种电喷雾微流体芯片、其制作方法及掩膜版设备,该方法采用透光结构不同的两块掩膜版,通过依次使用两块掩膜版,可在不同的光刻胶深度上形成不同的结构,最终显影得到所需结构,以其作为微流体芯片成型模具,可使微流体芯片的喷雾口在微流体芯片上一体化形成,即微流道出口直接成型为微流体芯片的喷雾口。由于喷雾口可直接从光刻胶形成的模具中脱模成型,而非切割修整所得到,所得微流体芯片能够获得很好的电喷雾效果,有效解决现有的高聚物微流体芯片电喷雾效果差的问题。
搜索关键词: 一种 喷雾 流体 芯片 制作方法 掩膜版 设备
【主权项】:
一种电喷雾微流体芯片的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:a.在基片上覆盖第一光刻胶层,通过第一掩膜版对所述第一光刻胶层进行曝光,曝光后进行显影,去除被所述掩膜版遮挡而未曝光的光刻胶部分,其中所述第一掩膜版具有用于形成微流体芯片内的储液池及微流道的透光区域;b.在经显影的所述第一光刻胶层上进一步覆盖光刻胶层,通过第二掩膜版对所述进一步覆盖的光刻胶层进行曝光,曝光后进行显影,去除被所述第二掩膜版遮挡而未曝光的光刻胶部分,形成凹槽,所述凹槽内具有因经所述第一掩膜版的透光区域曝光而被保留的所述第一光刻胶层的剩余部分,其中所述第二掩膜版的覆盖区域与所述第一掩膜版的覆盖区域相同或处于所述第一掩膜版的覆盖区域内,且所述第二掩膜版对应于所述第一掩膜版的用于形成所述微流道的透光区域的区域是不透光的或透光的或部分透光的;c.以经步骤b处理的基片为模固化形成高聚物母材,从所述高聚物母材上获取芯片层,所述芯片层包括由所述凹槽界定的芯片部分,所述芯片部分含有由所述剩余部分界定的储液池及微流道;d.将另一高聚物层与所述芯片层粘结在一起,形成内部具有微流道的微流体芯片。
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