[发明专利]一种提高浅沟槽隔离介电质薄膜填充能力的方法在审
| 申请号： | 201410254087.5 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN103996649A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 钟斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种提高浅沟槽隔离介电质薄膜填充能力的方法，包括：接收预沉积薄膜硅片；在硅片中刻蚀出浅沟槽隔离结构并进行预处理；预填充衬底以形成预填充层；在预填充衬底后利用流动式化学气相沉积法部分填充浅沟槽隔离结构以形成浅沟槽隔离氧化物薄膜；沉积覆盖经过流动式化学气相沉积法部分填充之后浅沟槽隔离结构的上层薄膜；执行高温退火处理以提高浅沟槽隔离氧化物薄膜和上层薄膜的抗湿法刻蚀性能和致密性。本发明成功的解决了流动式化学气相沉积法在浅沟槽隔离中应用遇到的主要的技术问题，将流动式化学气相沉积法和高密度等离子化学气相沉积法或高深宽比工艺整合在一起，增加了浅沟槽隔离薄膜无空洞和无缝隙填充的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 沟槽 隔离 介电质 薄膜 填充 能力 方法 | ||
【主权项】：
一种提高浅沟槽隔离介电质薄膜填充能力的方法，其特征在于包括：第一步骤：接收预沉积薄膜硅片；第二步骤：在硅片中刻蚀出浅沟槽隔离结构并进行预处理；第三步骤：预填充衬底以形成预填充层；第四步骤：在预填充衬底后利用流动式化学气相沉积法部分填充浅沟槽隔离结构以形成浅沟槽隔离氧化物薄膜；第五步骤：沉积覆盖经过流动式化学气相沉积法部分填充之后浅沟槽隔离结构的上层薄膜；第六步骤：执行高温退火处理以提高浅沟槽隔离氧化物薄膜和上层薄膜的抗湿法刻蚀性能和致密性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
