[发明专利]具有低源极/漏极接触电阻的FinFET有效
| 申请号： | 201410254124.2 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104952924B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 黄玉莲;李东颖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成电路结构，该集成电路结构包括半导体衬底；延伸到半导体衬底内的绝缘区，绝缘区包括第一顶面和低于第一顶面的第二顶面；位于绝缘区的第一顶面上方的半导体鳍；位于半导体鳍的顶面和侧壁上的栅叠层以及位于栅叠层的侧部的源极/漏极区。源极/漏极区包括第一部分，第一部分具有彼此基本平行的相对侧壁，第一部分低于绝缘区的第一顶面并且高于绝缘区的第二顶面；以及第二部分，位于第一部分上方，第二部分的宽度大于第一部分的宽度。本发明还提供了具有低源极/漏极接触电阻的FinFET。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘区 顶面 集成电路结构 源极/漏极区 半导体鳍 漏极接触 栅叠层 衬底 低源 电阻 半导体 基本平行 相对侧壁 侧壁 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：半导体衬底；绝缘区，延伸到所述半导体衬底内，其中，所述绝缘区包括第一顶面；半导体鳍，位于所述绝缘区的所述第一顶面上方；栅叠层，位于所述半导体鳍的顶面和侧壁上；源极/漏极区，位于所述栅叠层的侧部，其中，所述源极/漏极区包括：源极/漏极区的第一部分，具有彼此基本平行的相对侧壁，所述源极/漏极区的第一部分低于所述绝缘区的所述第一顶面；以及源极/漏极区的第二部分，位于所述源极/漏极区的第一部分上方，其中，所述源极/漏极区的第二部分的宽度大于所述源极/漏极区的第一部分的宽度；以及源极/漏极硅化物区，其中，所述源极/漏极硅化物区包括底面与所述绝缘区的底面齐平的水平部分，并且所述源极/漏极区还包括位于所述源极/漏极硅化物区的水平部分的直接下方的第三部分。
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