[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410254140.1 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN105226050A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 余秉隆;洪永泰;苏金达 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括一导电层、一导孔、以及设置在导电层与导孔之间的一阻障层。其中阻障层填塞有氧。本发明藉由以氧填塞阻障层的晶界，堵住了组成材料或反应性/沉积气体的扩散路径，并可补偿边界缺陷所带来的影响，因而能够提供更有效的阻障层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于其包括：一导电层；一导孔；以及一阻障层，设置在该导电层与该导孔之间，该阻障层填塞有氧。
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