[发明专利]一种确定SRAM电性能目标的仿真方法

摘要

本发明提供一种确定SRAM电性能目标的仿真方法，包括：定义SRAM的电性能目标值作为所述仿真模拟的初始参数，将所述初始参数输入仿真软件；在至少三种极限情况下进行仿真模拟，以分别获得读取静态噪声容限、动态写容限和动态读出电流的正态分布；从所述正态分布分别获得所述读取静态噪声容限、动态写容限和读出电流的平均值和西格玛值；在所述读取静态噪声容限、动态写容限和读出电流的3个西格玛中选择最小的西格玛值，查良率和西格玛值表格，获得所述SRAM的仿真良率数据；将所述仿真良率数据与良率标准进行比对，判断所述良率数据是否大于或等于良率标准；是，则仿真模拟结束。根据本发明的方法，可正确预测SRAM的良率临界点，定义SRAM晶体管的电性能目标。

主权项

1.一种确定SRAM电性能目标的仿真方法，包括：步骤S101，定义SRAM的电性能目标值作为所述仿真模拟的初始参数，将所述初始参数输入仿真软件；步骤S102，在至少三种极限条件下进行仿真模拟，以分别获得读取静态噪声容限、动态写容限和动态读出电流的正态分布，其中，所述极限条件包括：慢NMOS慢PMOS、快NMOS快PMOS、快NMOS慢PMOS、慢NMOS快PMOS；步骤S103，从所述正态分布分别获得所述读取静态噪声容限、动态写容限和读出电流的平均值和西格玛值；步骤S104，在所述读取静态噪声容限、动态写容限和读出电流的3个西格玛中选择最小的西格玛值，查良率和西格玛值表格，获得所述SRAM的仿真良率数据；步骤S105，将所述仿真良率数据与良率标准进行比对，判断所述良率数据是否大于或等于良率标准；如果是，则进行步骤S106，仿真模拟结束。