[发明专利]一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法

摘要

一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法，它涉及一种钛合金TC4表面陶瓷膜层的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的钛合金热控涂层存在太阳吸收率高，发射率低，成本高，对复杂形状的表面难获得均匀的涂层，工艺复杂和涂层与基体结合度弱的问题。制备方法：一、钛合金TC4前处理；二、微弧氧化。本发明制备的涂层粗糙度为4.056μm～13.66μm，涂层厚度达到68.1μm～200μm，且厚度可调，由于是原位生长，故具有结合力好，并且在强酸性的锆酸盐体系的工艺条件下膜层的发射率大于0.96，吸收率小于0.32。本发明可获得一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法。

主权项

一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法，其特征在于一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法具体是按以下步骤完成的：一、钛合金TC4前处理：首先依次使用60#干砂纸、240#水磨砂纸和400#的水磨砂纸对钛合金TC4进行打磨处理，然后使用NaOH溶液去除钛合金TC4表面的油，再用蒸馏水清洗，电吹风吹干，得到处理后的钛合金TC4；步骤一所述的NaOH溶液由NaOH和蒸馏水混合而成，且所述的NaOH的质量与蒸馏水的体积比为10g:1L；二、微弧氧化：将处理后的钛合金TC4置于不锈钢的电解液中，钛合金TC4与电源的正极相连接，作为阳极，不锈钢电解槽与电源的负极相连接，作为阴极；采用脉冲微弧氧化电源供电，在电流密度为14A/dm2、电源频率为50Hz、占空比为45％、电解液的温度为30℃和电解液的pH值为1.24的条件下微弧氧化反应20min，得到钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层；步骤二所述的电解液由主成膜剂和辅助成膜剂组成，溶剂为水；所述的主成膜剂为氟锆酸钾，电解液中氟锆酸钾的浓度为6g/L；所述的辅助成膜剂为次亚磷酸钠和磷酸的混合物，电解液中次亚磷酸钠的浓度0.5g/L，电解液中磷酸为2mL/L；步骤二所述的钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的厚度为166μm、粗糙度为11.07μm，太阳吸收率为0.237，半球发射率为0.99。