[发明专利]区域光子晶体发光二极管器件有效
| 申请号： | 201410255914.2 | 申请日： | 2014-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN104009139A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 王璨璨;孙智江 | 申请（专利权）人： | 海迪科（南通）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226500 江苏省南通市如*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种区域光子晶体发光二极管结构，该发光二极管结构自下而上依次包括衬底、n型GaN层、量子阱发光层、p型GaN层、透明导电层，在n型GaN层上设置n型电极，在透明导电层上设置p型电极。其中，反射光子晶体结构制作在p电极下面，透射光子晶体结构制作在p电极附近。通过本发明的在金属电极附近刻蚀形成的区域性光子晶体结构，能有效降低外延层的欧姆接触电阻，并进一步降低全区域刻蚀对有源区造成的损伤，使光子晶体的导光作用更为显著。本发明所提供该结构还能将射向金属电极附近的光全部反射和透射出芯片，实现电和光的通道隔离，从而显著提高LED的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 区域 光子 晶体 发光二极管 器件 | ||
【主权项】：
一种区域光子晶体发光二极管器件，其特征在于：包括衬底（7）、设置在所述的衬底（7）上的n型GaN层（6）、设置在所述的n型GaN层（6）上的n型电极（5）与量子阱发光层（8）、设置在所述的量子阱发光层（8）上的p型GaN层（9）、设置在所述的GaN层（9）上的透明导电层（4）、以及设置在所述的透明导电层（4）上的p型电极（1），所述的p型电极（1）下方的透明导电层（4）上制作有用于将入射光线反射的反射光子晶体结构（2）与用于将入射光线透射的透射光子晶体结构（3），其中，所述的反射光子晶体结构（2）位于p型电极（1）的底部，所述的透射光子晶体结构（3）位于p型电极（1）的底部周围。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海迪科（南通）光电科技有限公司，未经海迪科（南通）光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410255914.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
