[发明专利]超薄塑封半导体元器件框架、元器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201410256976.5 | 申请日： | 2014-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN103985677A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 周祥兵 | 申请（专利权）人： | 扬州江新电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/28;H01L21/56;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市京大律师事务所 11321 | 代理人： | 方晓明 |
| 地址： | 225004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超薄塑封半导体元器件框架，所述框架上通过机械模压或腐蚀的方法形成一层以上用于容纳芯片的台阶。还公开了一种超薄塑封半导体元器件，包括：一上述的超薄塑封半导体元器件框架；一个以上的芯片，多个焊丝和引脚，以及塑封体。还公开了超薄塑封半导体元器件的制备方法。本发明的超薄塑封半导体元器件框架被设计成多层台阶结构，有利于元器件整体封装厚度的减小，且不易露丝，组装得到的超薄塑封半导体元器件封装尺寸减小，适合应用于超薄电子产品中。框架和引脚上通孔的设计使得封装时封装材料可以挤入通孔中，使塑封体和框架结合更紧密。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 塑封 半导体 元器件 框架 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超薄塑封半导体元器件框架，用于一个以上的芯片组装，其特征在于：所述框架上通过机械模压或腐蚀的方法形成一层以上用于容纳芯片的台阶，框架在台阶位置的厚度小于框架其他位置的厚度，同一台阶位置的厚度相同，不同台阶位置的厚度可以不相同。
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