[发明专利]静电放电晶体管及其静电放电保护电路有效
| 申请号： | 201410257874.5 | 申请日： | 2014-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN104241272B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 黄京镇;沈辰燮;李在贤 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/73;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 朱胜;李春晖 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种静电放电晶体管及其静电放电保护电路。该静电放电晶体管包括：设置在基底的表面上的集电极区；垂直地设置在集电极区下方的下沉区；以及在下沉区之下比下沉区水平地突出更远的埋层。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 晶体管 及其 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电晶体管，包括：设置在基底中的重掺杂的集电极区；垂直地设置在所述集电极区下方的下沉区；以及在所述下沉区之下比所述下沉区水平地突出更远的埋层，其中，所述埋层的掺杂浓度高于所述下沉区的掺杂浓度；以及其中，所述重掺杂的集电极区、所述下沉区和所述埋层彼此具有相同的导电类型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
