[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

提供了一种制造半导体器件的方法。实现半导体器件的性能的提高。在一种制造半导体器件的方法中，在n型半导体衬底中形成作为p型半导体区域的p型井，p型半导体区域形成光电二极管的部分，并且形成转移晶体管的栅极电极。然后在形成作为n型半导体区域的n型井之后向半导体衬底施加微波以加热半导体衬底，n型半导体区域形成光电二极管的另一部分。随后形成转移晶体管的漏极区域。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供具有第一传导类型的半导体衬底；(b)在所述步骤(a)之后，注入第二传导类型杂质并且在所述半导体衬底中形成第一半导体区域，所述第一半导体区域具有与所述第一传导类型相反的第二传导类型并且形成光电二极管的部分；(c)在所述半导体衬底之上形成转移晶体管的栅极电极，所述转移晶体管转移所述光电二极管生成的电荷；(d)注入第一传导类型杂质并且形成第二半导体区域，所述第二半导体区域具有所述第一传导类型并且形成所述光电二极管的另一部分，从而在所述第一半导体区域中包括所述第二半导体区域；(e)在所述步骤(d)之后，向所述半导体衬底施加微波以加热所述半导体衬底；(f)在所述步骤(e)之后，在所述半导体衬底中形成所述转移晶体管的漏极区域；(g)在所述步骤(f)之后，使所述半导体衬底经受不小于800℃的温度处的热处理，以激活所述第一传导类型杂质和所述第二传导类型杂质；以及(h)在所述步骤(g)之后，在所述半导体衬底之上形成层间绝缘膜。