[发明专利]莱克多巴胺分子印迹SPR传感器芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410258295.2 申请日: 2014-06-11
公开(公告)号: CN103983613A 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 王静;佘永新;杜欣蔚;姚婷;李腾飞;王淼;张艳欣;于海龙;金芬;邵华;金茂俊;王珊珊 申请(专利权)人: 中国农业科学院农业质量标准与检测技术研究所
主分类号: G01N21/552 分类号: G01N21/552
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 吴开磊
地址: 100080 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及SPR传感器芯片领域,具体而言,涉及莱克多巴胺分子印迹SPR传感器芯片及其制备方法。该莱克多巴胺分子印迹SPR芯片,所述莱克多巴胺分子印迹SPR芯片以莱克多巴胺分子印迹聚合物、石墨烯纳米金、1-辛基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐为芯片基底修饰物。本发明莱克多巴胺分子印迹SPR芯片对莱克多巴胺有高特异性吸附能力,对样品中低浓度的莱克多巴胺有着明显的响应信号变化。采用本发明制备的莱克多巴胺分子印迹SPR芯片分析莱克多巴胺残留,步骤简单,分析时间短,对低浓度下分析有较高的准确性和灵敏度。
搜索关键词: 多巴胺 分子 印迹 spr 传感器 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
莱克多巴胺分子印迹SPR传感器芯片,其特征在于,所述莱克多巴胺分子印迹SPR传感器芯片以莱克多巴胺分子印迹聚合物、石墨烯纳米金、1‑辛基‑3‑甲基咪唑六氟磷酸盐为芯片基底修饰物。
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