[发明专利]二氧化碲基底上的一种中短波红外增透膜有效
| 申请号： | 201410258890.6 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104035146A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 罗海瀚;刘定权;蔡清元;李耀鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | G02B1/11 | 分类号： | G02B1/11 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了本发明公开了二氧化碲基底上的一种中短波红外增透膜，该增透膜使用了硫化锌(ZnS)和氟化镱(YbF3)为不同折射率的膜层材料，使用离子源辅助沉积与合适的基底烘烤温度等特定工艺条件，在基底的两个表面分别沉积8层非规整的膜层。该增透膜元件可以使得在1.25～4.0微米(μm)区间具有良好的透光效果，平均透过率＞95％。TeO2晶体是一种优质的声光晶体，广泛应用于声光调制器，该增透膜可以有效提高声光调制器的光学效率，在宽光谱应用方面呈现出明显优势。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 基底 一种 中短波 红外 增透膜 | ||
【主权项】：
二氧化碲基底上的一种中短波红外增透膜，其结构为：在基底的一面沉积正面膜系(1)，在基底的另一面沉积反面膜系(3)，其特征在于：a、所述的正面膜系(1)的膜系结构为：基底/0.314H0.025L1.961H0.078L0.496H0.257L0.258H0.894L/空气其中，H表示一个λ0/4光学厚度的ZnS膜层，L表示一个λ0/4光学厚度的YbF3膜层，λ0为中心波长，H与L前的数字为膜层的厚度比例系数；b、所述的反面膜系(3)的膜系结构为：基底/0.28H0.022L1.638H0.076L0.396H0.227L0.204H0.743L/空气其中，H表示一个λ0/4光学厚度的ZnS膜层，L表示一个λ0/4光学厚度的YbF3膜层，H与L前的数字为膜层的厚度比例系数。
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