[发明专利]用于太阳能电池的非晶硅薄膜陷光结构制备方法无效
| 申请号： | 201410259079.X | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104009128A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 刘爽;陈逢彬;李尧;唐海华;何存玉;熊流峰;钟智勇;刘永 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/054 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李玉兴 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能够降低薄膜反射率的用于太阳能电池的非晶硅薄膜陷光结构制备方法。该制备方法包括以下步骤：A、对衬底进行清洁处理；B、在衬底表面沉积非晶硅薄膜；C、对沉积在衬底表面的非晶硅薄膜进行纳秒激光扫描，从而在非晶硅表面形成陷光结构。通过用纳秒激光扫描非晶硅薄膜，在非晶硅薄膜表面可以形成明显的尖峰结构，可以大大降低非晶硅薄膜的反射率，在波长300-1100nm下的反射率最低可以达到0.8％，减反效果明显，基本实现了在整个太阳光辐射光谱范围内的宽光谱减反，而且，采用此种方法制备绒面陷光结构，具有易于大面积制备、生产工艺成熟、成本低廉的优点。适合在半导体制造技术领域推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 太阳能电池 非晶硅 薄膜 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
用于太阳能电池的非晶硅薄膜陷光结构制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、对衬底进行清洁处理；B、在衬底表面沉积非晶硅薄膜；C、对沉积在衬底表面的非晶硅薄膜进行纳秒激光扫描，从而在非晶硅表面形成陷光结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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