[发明专利]具有微带谐振器的等离子体产生装置有效
| 申请号： | 201410259219.3 | 申请日： | 2014-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN104284506B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | M.瓦希德珀;M.丹宁 | 申请（专利权）人： | 安捷伦科技有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京坤瑞律师事务所 11494 | 代理人： | 封新琴 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种等离子体产生装置、一种包括等离子体产生装置的系统、以及一种产生等离子体和真空UV(VUV)光子的方法。在代表性实施例中，等离子体产生装置包括：衬底，其具有第一表面和第二表面；谐振环形结构，其布置在所述衬底的第一表面上，所述谐振环形结构具有被选择以支持具有沿谐振环形结构的长度的一个以上电场最大值的至少一个驻波的尺寸；接地平面，其布置在所述衬底的第二表面上；以及设备，其配置成在所述电场最大值的位置提供气体。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体产生装置 谐振 环形结构 衬底 电场 第二表面 第一表面 等离子体 微带谐振器 接地平面 位置提供 光子 驻波 配置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体产生装置，包括：衬底，其具有第一表面和第二表面；谐振环形结构，其布置在所述衬底的第一表面上，所述谐振环形结构具有被选择以支持具有沿谐振环形结构的长度的一个以上电场最大值的至少一个驻波的尺寸；接地平面，其布置在所述衬底的第二表面上；以及设备，其配置成在所述电场最大值的位置提供气体。
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