[发明专利]一种增强型聚光太阳能电池芯片无效
申请号: | 201410259638.7 | 申请日: | 2014-06-11 |
公开(公告)号: | CN103996724A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 王永向 | 申请(专利权)人: | 成都聚合科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610207 四川省成都市双流县西南*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及一种增强型聚光太阳能电池芯片,属太阳能发电技术领域。包括负电极层,聚光太阳能电池基材层,正电极层和有效面积,所述聚光太阳能电池基材层一面覆上正电极层,另一面覆上负电极层,负电极为一密封的“口”字形形状,负电极之内的部分为有效面积。本发明的电池芯片在超过1000倍的聚光倍数和很强的光线地域条件下,能保证大电流很顺畅地通过正电极和负电极引导出来,而不损坏电池片;从菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑会在一定时间段内都完全重合地汇聚在聚光太阳能电池片的有效面积上;设定一个时间段太阳能跟踪器的电机工作一次,这样就极大地减少了给电机的供电功率,从而更加的节能;该电池芯片“口”字形形状负电极能迅速地将电流导出,减小电流对其他电池材料中离子的碰撞,能将电池芯片的转换效率整体提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 增强 聚光 太阳能电池 芯片 | ||
【主权项】:
一种增强型聚光太阳能电池芯片,其特征是,它包括负电极层,聚光太阳能电池基材层,正电极层和有效面积,所述聚光太阳能电池基材层一面覆上正电极层,另一面覆上负电极层,负电极为一密封的“口”字形形状,负电极之内的部分为有效面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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