[发明专利]耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法

摘要

本发明是一种耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法，该方法包括以下步骤：1）在SiC晶片背面蒸发或者溅射一层金属，退火后形成欧姆接触；2）在背面欧姆接触上蒸发或者溅射一层阻挡金属；3）在SiC晶片正面涂一层树脂，烘箱高温烘烤固化树脂；4）SiC晶片正面涂胶保护，湿法HF腐蚀，清洗甩干；5）在SiC晶片背面沉淀加厚金属；6）去胶划片，芯片烧结到载体上后做剪切力评估。优点：解决了碳化硅功率器件经过高温处理以后，背面金属不牢的问题，通过在背面欧姆上溅射一层阻挡金属，高温处理后与扩散到欧姆接触表面的C结合，避免了形成游离的C层，保证了背面加厚金属的牢固性和可靠性。

主权项

耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法，该方法包括以下步骤：1）在SiC晶片背面蒸发或者溅射一层金属，退火后形成欧姆接触；2）在背面欧姆接触上蒸发或者溅射一层阻挡金属；3）在SiC晶片正面涂一层树脂，烘箱高温烘烤固化树脂；4）SiC晶片正面涂胶保护，湿法HF腐蚀，清洗甩干；5）在SiC晶片背面沉淀加厚金属；6）去胶划片，芯片烧结到载体上后做剪切力评估；所述在SiC晶片背面蒸发或者溅射一层100nm厚的Ni金属，1000oC退火10min后形成良好的欧姆接触；100nm的Ni金属在高温快速退火中，没有全部与SiC反应，表层没有和SiC反应的Ni还比较致密，阻挡了碳的析出，所以此时观察不到背面有发黑的碳析出；所述在背面欧姆接触上溅射一层阻挡金属包括W，Ti，WTi，WiTiAuTi，厚度为10nm～300nm，采用蒸发或者溅射的方式形成；所述在SiC晶片正面涂一层树脂是4µm厚的树脂层，烘箱加热温度从25℃开始，多段2h加热到400℃，然后在400℃恒温2h后，降温到室温；经过第二次高温处理以后，碳扩到了阻挡金属层，与W、Ti或者其合金结合，防止了碳向金属表面的扩散，避免在表面形成游离的碳层，影响加厚金属的粘附性；所述SiC晶片正面涂胶保护，湿法HF腐蚀，是质量配比浓度为20%的HF处理1min；所述在SiC晶片背面沉淀加厚金属是经过步骤4）以后，背面蒸发、溅射或者电镀1µm～6µm的加厚金属，背面加厚金属包括Au，Ag，NiAu，NiAg，TiNiAu，TiNiAg；去胶后划片。