[发明专利]检测半导体芯片背面金属层分离的方法有效
| 申请号： | 201410260298.X | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104064488A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 袁昌发;吕邦贵;袁浩;李建立;叶新民;顾中平 | 申请（专利权）人： | 江阴新顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 | 代理人： | 唐纫兰;曾丹 |
| 地址： | 214434 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种检测半导体芯片背面金属层分离的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤一、在待检测芯片背面金属化层上粘贴一层薄膜：将芯片放在洁净、无颗粒的平台上，将薄膜均匀地粘贴在芯片背面金属化层上；步骤二、对贴有薄膜的芯片进行烘烤：将粘贴好的芯片放入烘箱，同时往烘箱内通入氮气进行保护，要求烘箱的温度在80℃~100℃之间，烘烤时间为25分钟至30分钟，氮气要求流量在9L/min~11L/min范围内；步骤三、撕除芯片背面金属化层上的薄膜：将步骤二的芯片从烤箱中取出，冷却5分钟后将粘在芯片背面金属化层上的薄膜揭去。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 半导体 芯片 背面 金属 分离 方法 | ||
【主权项】：
一种检测半导体芯片背面金属层分离的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤一、在待检测芯片背面金属化层上粘贴一层薄膜将芯片放在洁净、无颗粒的平台上，将薄膜均匀地粘贴在芯片背面金属化层上；步骤二、对贴有薄膜的芯片进行烘烤将粘贴好的芯片放入烘箱，同时往烘箱内通入氮气进行保护，要求烘箱的温度在80℃~100℃之间，烘烤时间为25分钟至30分钟，氮气要求流量在9L/min~11L/min范围内；步骤三：撕除芯片背面金属化层上的薄膜将步骤二的芯片从烤箱中取出，冷却5分钟后将粘在芯片背面金属化层上的薄膜揭去。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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