[发明专利]异质结太阳能电池PECVD工艺受硼污染解决方法有效
| 申请号： | 201410260428.X | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN105154852A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 吴科俊;陈金元;胡宏逵;汪训忠;杨华新 | 申请（专利权）人： | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司;理想能源设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/54 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种异质结太阳能电池PECVD工艺受硼污染解决方法，所述方法包括异质结太阳能电池PECVD设备，所述异质结太阳能电池PECVD设备对硅片进行I层工艺、N层工艺和P层工艺，所述异质结太阳能电池PECVD设备包括用以在所述P层工艺与后续I层工艺之间共用的循环用具，在P层工艺之后增加水蒸气处理工艺用以在I层工艺之前除去所述循环用具表面的硼残留。如此设置，可以迅速去除循环用具例如同一腔体内部或者共享托盘表面的硼残留，如此可提高后续硅片表面非晶硅的钝化效果，减少载流子在硅表面的复合，提高少子寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 太阳能电池 pecvd 工艺 污染 解决方法 | ||
【主权项】：
一种异质结太阳能电池PECVD工艺受硼污染解决方法，所述方法包括异质结太阳能电池PECVD设备，所述异质结太阳能电池PECVD设备对硅片进行I层工艺、N层工艺和P层工艺，所述异质结太阳能电池PECVD设备包括用以在所述P层工艺与后续I层工艺之间共用的循环用具，其特征在于：在P层工艺之后增加水蒸气处理工艺用以在I层工艺之前除去所述循环用具表面的硼残留。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
