[发明专利]晶圆曝光布局的优化方法

摘要

本发明公开了一种晶圆曝光布局的优化方法，包括提供待曝光晶圆；制作掩膜板，其具有长方形和迭对标记图案；通过光刻，将掩膜板的长方形及迭对标记图案转移到晶圆上；在每个曝光单元上光刻出多组迭对标记，相对于晶圆平移所有曝光单元，获得完整度不同的边缘曝光单元；通过测量完整曝光单元和非完整曝光单元之间迭对标记的中心偏移量，从而确定机台对非完整曝光单元对准的补偿边界，以获得最大数量完整曝光单元die的曝光布局，进而提高产品良率。

主权项

一种晶圆曝光布局的优化方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，提供待曝光晶圆；步骤S02，制作掩膜板，该掩膜板图案具有X方向和Y方向长度分别为4Dx和4Dy的长方形，该长方形四个角向外具有至少两组沿该长方形横向中心线或纵向中心线对称的迭对标记；步骤S03，通过涂胶、曝光和显影工艺，将该掩膜板的长方形及迭对标记图案转移到晶圆上，所述晶圆含有沿X方向和Y方向阵列状分布的大小一致的曝光单元，该曝光单元包括晶圆中间区域的完整曝光单元和晶圆边缘区域的非完整曝光单元，晶圆的曝光单元之间分属相邻两个曝光单元的第一迭对标记和第二迭对标记相互迭对；步骤S04，通过迭对测量仪，测量晶圆中完整曝光单元和完整曝光单元之间迭对标记的中心偏移量，定义为标准偏移量；步骤S05，通过迭对测量仪，测量晶圆边缘区域每组相邻完整曝光单元和非完整曝光单元之间迭对标记的中心偏移量，定义为边缘偏移量，该边缘偏移量包括X方向和Y方向；步骤S06，判断晶圆X方向或Y方向最边缘曝光单元是否为完整曝光单元，若否，所有曝光单元沿X方向或Y方向相对于晶圆平移一预设距离，然后重复步骤S03至S06；若是，则进入步骤S07；步骤S07，比较测得的每组边缘偏移量和标准偏移量，确定光刻机对非完整曝光单元对准的补偿边界，完成曝光单元布局的优化。