[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

摘要

本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其形成方法。鳍式场效应晶体管的形成方法包括，向半导体衬底内注入离子，在半导体衬底内形成掺杂有离子的第一区域，半导体衬底的其他区域为第二区域；刻蚀第一区域和第二区域，以形成鳍，第一区域的刻蚀速率小于第二区域的刻蚀速率，使鳍包括刻蚀第一区域形成的离子注入层，离子注入层的宽度大于离子注入层上方鳍的宽度；之后，在半导体衬底上形成介质层，介质层露出离子注入层，并形成横跨鳍的栅极，在鳍中形成源漏区。离子注入层可有效抑制向鳍内注入源漏离子时的源漏离子扩散，从而能减小源漏区内离子的深度，进而在使用过程中降低在鳍与介质层交界处的积聚的固定电荷量，改善鳍式场效应晶体管的电学性能。

主权项

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；向所述半导体衬底内注入离子，在所述半导体衬底内形成掺杂有所述离子的第一区域，半导体衬底的其他区域为第二区域；刻蚀所述半导体衬底的第一区域和第二区域，以形成鳍，所述第一区域的刻蚀速率小于所述第二区域的刻蚀速率，使所述鳍包括刻蚀所述第一区域形成的离子注入层，且所述离子注入层的宽度大于所述离子注入层上方鳍的宽度；在所述鳍露出的半导体衬底上形成介质层，所述介质层露出所述离子注入层；在所述介质层上形成横跨所述鳍的栅极；在所述栅极露出的鳍中形成源漏区。