[发明专利]一种具有硅烷偶联剂包覆层结构的硅基负极材料及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201410263579.0 | 申请日： | 2014-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103996835A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 高云智;陈思源;颜世银 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有硅烷偶联剂包覆层结构的硅基负极材料及其制备方法与应用。所述硅基负极材料以单质硅为基底，在基底外包覆有硅烷偶联剂修饰层，制备方法为：将硅烷偶联剂与硅粉进行超声共混，在保护气氛中于一定温度下回流，对硅粉进行修饰；将混合溶液洗涤、抽滤、真空干燥。上述方法制备的具有硅烷偶联剂包覆层结构的硅基负极材料掺杂在石墨中可用于制备锂离子电池的负极材料。本发明用硅烷偶联剂改性硅粉，在硅基底表面形成包覆修饰层，由于硅烷偶联剂的桥梁作用，硅基底和最外层的导电聚合物结合紧密，能有效阻止硅材料的膨胀粉化效应，使硅基负极材料具有较高的首次库伦效率与较好的循环稳定性，以满足动力电池的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 硅烷偶联剂 覆层 结构 负极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种具有硅烷偶联剂包覆层结构的硅基负极材料，其特征在于所述硅基负极材料以单质硅为基底，在基底外包覆有硅烷偶联剂修饰层。
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