[发明专利]双向光控晶体闸流管芯片、光触发耦合器和固态继电器

摘要

本发明提供双向光控晶体闸流管芯片、光触发耦合器和固态继电器。在半导体芯片的表面具备第一光控晶体闸流管部和第二光控晶体闸流管部，各光控晶体闸流管部具有PNPN部，该PNPN部包括：一种导电类型的阳极扩散区域；另一种导电类型的衬底；一种导电类型的控制极扩散区域；和在该控制极扩散区域内形成的另一种导电类型的阴极扩散区域，切割面与控制极扩散区域的距离为400μm以下。这样，将在导通时在第一光控晶体闸流管部侧产生的少数载流子，在迁移之前回收到第一光控闸流管部侧的切割面。其结果，能够不形成肖特基势垒二极管或沟道分离区域，而大幅提高整流特性，能够抑制芯片面积的增大，用1个芯片进行光触发来控制负载。

主权项

一种双向光控晶体闸流管芯片，其特征在于：具备在1个半导体芯片的表面相互分离地形成的第一光控晶体闸流管部和第二光控晶体闸流管部，所述各光控晶体闸流管部具有PNPN部，该PNPN部包括：在一个方向延伸并且具有N型和P型中的一种导电类型的阳极扩散区域；具有N型和P型中的另一种导电类型的衬底；与所述阳极扩散区域相对的具有所述一种导电类型的控制极扩散区域；和在该控制极扩散区域内与所述阳极扩散区域相对地形成并且具有所述另一种导电类型的阴极扩散区域，在将作为所述阳极扩散区域的延伸方向的所述一个方向设为第一方向，将与所述第一方向正交并且与所述衬底的表面大致平行的方向设为第二方向的情况下，所述半导体芯片的最外周的芯片端面与所述控制极扩散区域在所述第二方向的距离为400μm以下。