[发明专利]用于检测超薄硅晶圆亚表面损伤深度的试样制备方法

摘要

本发明公开了一种用于检测超薄硅晶圆亚表面损伤深度的试样制备方法，它包括如下步骤：(1)将整片晶圆切割为多个样品；(2)取下任意位置样品，并将其粘贴到金属板上；(3)对粘贴好的试样进行磨削、抛光、腐蚀处理；本发明的优点在于可用于制备超薄(厚度≤300μm)、易碎硅晶圆的亚表面损伤层的检测试样，且试样制备方法简单，能够得到清晰的亚表面微裂纹，解决了超薄硅晶圆亚表面损伤深度难以获得的问题。

主权项

一种用于检测超薄硅晶圆亚表面损伤深度的试样制备方法，其特征在于，它包括如下步骤：(1)将整片晶圆切割为多个样品；(2)取下任意位置样品，并将其粘贴到硬度大于硅的金属板上；粘贴时，晶圆样品的切割边缘要超出金属板的边缘；且将晶圆的磨削面粘贴到金属板上；(3)对粘贴好的试样进行磨削、抛光、腐蚀处理，具体如下：(3a)在磨削机上用P800砂纸打磨试样直至露出试样截面；(3b)用P2000砂纸对步骤(3a)处理过的截面进行精磨5～10min,；(3c)用自来水冲洗步骤(3b)精磨过的截面，在抛光机上对其进行抛光，使用粒度为0.5μm的抛光液抛光20～30min；(3d)用步骤(3c)抛光过的截面，用粒度为0.25μm的抛光液抛光20～30min；(3e)用自来水冲洗步骤(3d)抛光过的截面，用杨氏溶液对截面进行腐蚀15～20s后取出立即用酒精冲洗截面；(3f)将步骤(3e)处理过的样品放入盛有新酒精的烧杯中，一同放入超声波清洗仪里清洗10～15min；(3g)将步骤(3f)清理好的试样取出并吹干，放入试样袋中，避免将试样暴露在空气中。