[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，其能够进一步减少显影液滴下时所产生的微泡，并能够实现图案缺陷的进一步减少，由此适用于碳化硅半导体装置的制造。半导体装置的制造方法具有照相制版工序，该照相制版工序具有进行显影液浸渍处理的工序。进行显影液浸渍处理的工序具有工序(a)和工序(b)，在工序(a)中，将显影液(3)滴在碳化硅半导体衬底(1)上，以膜厚大于6μm的方式形成显影液膜(4)，在工序(b)中，使显影液膜(4)的膜厚变薄至小于或等于6μm。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其具有照相制版工序，其中，所述照相制版工序具有进行显影液浸渍处理的工序，进行所述显影液浸渍处理的工序具有：工序(a)，在该工序中，将显影液滴在半导体衬底上，以膜厚大于6μm的方式形成显影液膜；以及工序(b)，在该工序中，使所述显影液膜的膜厚变薄至小于或等于6μm。