[发明专利]发光器件和照明系统有效
申请号: | 201410264527.5 | 申请日: | 2014-06-13 |
公开(公告)号: | CN104241481B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 崔恩实 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/32 | 分类号: | H01L33/32;H01L33/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 顾晋伟,彭鲲鹏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光器件、制造该发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。该发光器件包括第一电极层(87);在第一电极层(87)上的第二导电半导体层(13);在第二导电半导体层(13)上的有源层(12);在有源层(12)上的第一导电半导体层(11);在第一导电半导体层(11)上的AlyGa1‑yN层(16)(其中,0<y≤1);在AlyGa1‑yN层(16)上的InxGa1‑xN图案(15)(其中,0<x≤1);在InxGa1‑xN图案(15)上的氮化镓半导体层(14);以及在氮化镓半导体层(14)上的焊盘电极(81)。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 照明 系统 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包括:第一电极层;在所述第一电极层上的第二导电半导体层;在所述第二导电半导体层上的有源层;在所述有源层上的第一导电半导体层;在所述第一导电半导体层上的AlyGa1‑yN层,其中,0<y≤1;在所述AlyGa1‑yN层上的InxGa1‑xN图案,其中,0<x≤1;在所述InxGa1‑xN图案上的氮化镓半导体层;以及在所述氮化镓半导体层上的焊盘电极,其中所述InxGa1‑xN图案是螺旋生长的并且包括向下凸出的部分,其中所述AlyGa1‑yN层包括沿所述InxGa1‑xN图案的表面向下凸出的部分。
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