[发明专利]发光器件和照明系统有效
| 申请号： | 201410264527.5 | 申请日： | 2014-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN104241481B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 崔恩实 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 顾晋伟,彭鲲鹏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光器件、制造该发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。该发光器件包括第一电极层(87)；在第一电极层(87)上的第二导电半导体层(13)；在第二导电半导体层(13)上的有源层(12)；在有源层(12)上的第一导电半导体层(11)；在第一导电半导体层(11)上的AlyGa1‑yN层(16)(其中，0<y≤1)；在AlyGa1‑yN层(16)上的InxGa1‑xN图案(15)(其中，0<x≤1)；在InxGa1‑xN图案(15)上的氮化镓半导体层(14)；以及在氮化镓半导体层(14)上的焊盘电极(81)。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 照明 系统 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第一电极层；在所述第一电极层上的第二导电半导体层；在所述第二导电半导体层上的有源层；在所述有源层上的第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的AlyGa1‑yN层，其中，0＜y≤1；在所述AlyGa1‑yN层上的InxGa1‑xN图案，其中，0＜x≤1；在所述InxGa1‑xN图案上的氮化镓半导体层；以及在所述氮化镓半导体层上的焊盘电极，其中所述InxGa1‑xN图案是螺旋生长的并且包括向下凸出的部分，其中所述AlyGa1‑yN层包括沿所述InxGa1‑xN图案的表面向下凸出的部分。
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