[发明专利]半导体存储装置以及数据存储和功耗有效

专利信息
申请号: 201410264540.0 申请日: 2014-06-13
公开(公告)号: CN104599697B 公开(公告)日: 2018-05-22
发明(设计)人: 林胜坚;卓静美 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 俞波;周晓雨
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体存储装置包括写驱动器,所述写驱动器被配置成将输入数据传输至数据储存区。所述半导体存储装置还可以包括感测放大器,所述感测放大器被配置成感测以及放大在数据储存区中储存的数据并且将输出数据输出。此外,所述半导体存储装置还可以包括使能信号产生块,所述使能信号产生块被配置成根据输入数据和输出数据的比较结果来产生写驱动器使能信号和感测放大器使能信号。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 以及 数据 功耗
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,包括:写驱动器,被配置成接收输入数据和将输入数据传输至数据储存区;感测放大器,被配置成感测以及放大在所述数据储存区中储存的数据并且将数据作为输出数据输出;以及使能信号产生块,被配置成:当写使能信号被使能时根据所述输入数据与所述输出数据的比较结果来使能写驱动器使能信号,当读使能信号被使能时根据所述比较结果来使能感测放大器使能信号,以及当验证信号被使能时根据所述比较结果来将所述写驱动器使能信号和所述感测放大器使能信号两者都使能。
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