[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法。分两阶段在具有栅极结构及有源区的半导体衬底上形成第一介电层与第二介电层，其中，在第一介电层形成完毕后，在其内注入硅离子形成硅掺杂层，之后在硅掺杂层上形成第二介电层；之后分两阶段研磨第二介电层与第一介电层至栅极结构顶部表面暴露出来，第一阶段以栅极结构顶部的硅掺杂层为研磨终点，对于硅掺杂层上的第二介电层，采用快速研磨的方式加以去除，研磨效率较高，第二阶段研磨至栅极结构顶部表面停止，对于硅掺杂层下的第一介电层，采用慢速研磨的方式，以对栅极结构顶部的第一介电层及周围区域的第二介电层与第一介电层进行均等研磨，避免介电层表面出现碟形凹陷。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构及位于所述栅极结构两侧的有源区；采用第一介电层填充所述栅极结构，所述栅极结构顶部的第一介电层表面高于栅极结构周围的第一介电层表面，所述第一介电层的厚度与所述栅极结构的高度相同；对所述第一介电层进行硅离子注入形成硅掺杂层，所述第一介电层的表面暴露出所述硅掺杂层的表面；在所述硅掺杂层上形成第二介电层；采用第一研磨速率研磨所述第二介电层至所述栅极结构顶部的硅掺杂层停止，采用第二研磨速率研磨所述第一介电层至所述栅极结构暴露出来，所述第二研磨速率小于所述第一研磨速率，第二研磨阶段以采用栅极结构周围的硅掺杂层作为研磨终点。