[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410264924.2 | 申请日： | 2010-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN104022092A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 秦英惠;中村真人;木下顺弘;绀野顺平;依田智子 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;李文屿 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其中半导体器件层叠了半导体芯片或层叠了安装有半导体芯片的布线衬底，在此器件中，层叠了半导体芯片或布线衬底的电极间的连接结构(1)包括：以Cu为主要成分的一对电极(2，3)；和夹在一对电极(2，3)之间的由Sn-In类合金形成的焊料层(5)，在该焊料层(5)中分散有Sn-Cu-Ni化合物(6)。能在低温、低负荷下可靠连接，连接部即使在层叠工艺、其后的安装工艺等中被加热也能保持形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：(a)提供半导体芯片和布线衬底，所述半导体芯片包括由Cu构成的电极，所述布线衬底包括由Cu构成的电极；(b)经由焊料将所述半导体芯片安装在所述布线衬底上，所述焊料中焊料粉末与粒子混合，所述焊料被供给至所述半导体芯片的电极与所述布线衬底的电极之间，所述焊料粉末分别由合金形成，所述合金基本上由Sn和In组成，所述粒子分别由非合金形成，所述非合金基本上由Ni组成；以及(c)加热所述焊料，从而在所述焊料中形成Sn‑Cu‑Ni化合物，该Sn‑Cu‑Ni化合物具有一个所述粒子作为核。
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