[发明专利]金属互连结构的制作方法

摘要

一种金属互连结构的制作方法，本发明在形成金属线图案的掩膜板中，不仅包括金属线图案对应区，还包括位于金属线图案对应区的散射条，对两者进行光学临近修正得到修正后的掩膜板。上述方案利用散射条改变位于导电插塞处的光刻胶的光强分布，使得曝光后的图案化光刻胶一方面具有一定程度收缩，以该图案化光刻胶为掩膜刻蚀第二介质层所形成的沟槽完全暴露出导电插塞，在其内填充的金属线图案能完全覆盖该导电插塞，另一方面又使得图案化的光刻胶收缩程度不至于过大造成该光刻胶崩塌剥落，对应沟槽内填充的相邻金属线图案不连通。

主权项

1.一种金属互连结构的制作方法，所述金属互连结构包括位于下层的导电插塞及位于上层、完全覆盖所述导电插塞的金属线图案，其特征在于，所述制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有导电插塞及其间填充的第一介质层，所述导电插塞为方形孔；形成覆盖所述导电插塞及第一介质层的第二介质层，在所述第二介质层上形成光刻胶，对所述光刻胶曝光、显影，得到图案化的光刻胶；所述曝光过程中采用的掩膜板为经光学临近修正后的掩膜板，所述掩膜板具有金属线图案对应区及位于金属线图案对应区中的散射条，所述金属线图案对应区覆盖导电插塞的三个侧面，所述散射条的位置与导电插塞对应，所述散射条位于导电插塞的未被金属线图案对应区覆盖的一侧的对面，使得曝光后的图案化光刻胶具有一定程度收缩，以该图案化光刻胶为掩膜刻蚀第二介质层所形成的沟槽完全暴露出导电插塞；以所述图案化的光刻胶为掩膜刻蚀所述第二介质层形成沟槽，在所述沟槽内填充金属得到金属线图案。