[发明专利]刻蚀方法和互连结构的形成方法

摘要

本发明提供了一种刻蚀方法和互连结构的形成方法。刻蚀方法包括：在提供半导体衬底上形成介质层后，在介质层上形成硬掩模，硬掩模的材料为二氧化钛；以硬掩模为掩模刻蚀介质层，在介质层内形成通孔；之后，在通孔内填充满金属材料，形成金属插塞。以二氧化钛为硬掩模材料，相比于传统的如以氮化钛为材料的硬掩模材料，在刻蚀二氧化钛形成硬掩模时，在二氧化钛内产生应力较小，因而可有效降低刻蚀硬掩模材料形成硬掩模过程中硬掩模材料的形变量，从而提高形成的硬掩模精度，进而提高后续以硬掩模为掩模刻蚀介质层后形成于介质层内的通孔精度，以及后续在通孔内填充金属材料后，形成的金属插塞的结构形态，以改善金属插塞的性能。

主权项

一种刻蚀方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；在所述介质层上形成硬掩模，所述硬掩模的材料为二氧化钛；以所述硬掩模为掩模刻蚀所述介质层，在所述介质层内形成通孔。