[发明专利]一种阵列基板及其制备方法有效
申请号: | 201410266064.6 | 申请日: | 2014-06-13 |
公开(公告)号: | CN104091817B | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 盖翠丽;吴仲远 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/528;H01L21/77;H01L21/768 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板及其制备方法,属于显示技术领域,其可解决现有的阵列基板背板电源线电阻较大造成像素间亮度非均匀性的问题。本发明的阵列基板及其制备方法,由于将背板电源线的电源导线层在阵列基板单独成层设置,电源导线层其在衬底上的投影面积可以更大,也就是电源导线层的导电截面积也可以更大,从而降低电源导线层的电阻。从而降低不同像素单元的电流差异,进而减弱在显示时产生云纹现象。 1 | ||
搜索关键词: | 阵列基板 电源导线 制备 背板 亮度非均匀性 电源线电阻 电流差异 像素单元 云纹现象 电源线 衬底 导电 电阻 像素 投影 | ||
所述的电源导线层设置在衬底上,在所述的电源导线层上设有第一绝缘层,在所述的第一绝缘层上设有栅极层,在所述的栅极层上设有第二绝缘层,在所述的第二绝缘层上设有有源层,在所述的有源层上同层间隔设置源、漏极层;所述的源极层通过位于第一绝缘层和第二绝缘层中的过孔连接;
或者
所述的栅极层与衬底接触,在所述的栅极层上设有第一绝缘层,在所述的第一绝缘层上设有有源层,在所述的有源层上同层间隔设置源、漏极层;在所述的源、漏极层上设有第二绝缘层,在所述的第二绝缘层上设有电源导线层,所述的电源导线层通过位于第二绝缘层的过孔与所述的源极层相连;
所述的电源导线层在整个像素区域呈网格状布置。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述的电源导线层在衬底的投影至少部分与栅极层或源、漏极层在衬底的投影重合。3.一种权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:通过构图工艺在衬底上形成电源导线层的步骤。
4.如权利要求3所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,在所述通过构图工艺在衬底上形成电源导线层的步骤之后或之前还包括:通过构图工艺在衬底上形成有源层的步骤;
在所述电源导线层与所述有源层之间形成过孔的步骤。
5.如权利要求3或4所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述的电源导线层在衬底的投影至少部分与栅极层或源、漏极层在衬底的投影重合。6.如权利要求3所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述的电源导线层采用铜或铜合金制作。该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的