[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410266102.8 | 申请日： | 2014-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN104733428A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 郑来亨;柳炫圭 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：穿通电极，穿通衬底使得穿通电极的第一端部从衬底的第一表面突出；钝化层，覆盖衬底的第一表面和穿通电极的第一端部的侧壁；凸块，具有穿通钝化层并且与穿通电极的第一端部耦接的下部；以及下金属层，被设置在凸块和穿通电极的第一端部之间。下金属层延伸至凸块的侧壁上并且具有凹面形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：穿通电极，穿通衬底并且具有从所述衬底的第一表面突出的第一端部；钝化层，覆盖所述穿通电极的所述第一端部的侧壁并且在所述衬底的所述第一表面之上延伸；凸块，具有穿通所述钝化层并且与所述穿通电极的所述第一端部耦接的下部；以及下金属层，具有凹面形状，被设置在所述凸块和所述穿通电极的所述第一端部之间并且覆盖所述凸块的侧壁。
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