[发明专利]利用场与特征对比的TSV浴评估有效
申请号: | 201410268283.8 | 申请日: | 2014-06-16 |
公开(公告)号: | CN104233451B | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 里·布罗根;史蒂文·T·迈耶;马修·托鲁;约瑟夫·理查森;大卫·W·波特;傅海英 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | C25D21/14 | 分类号: | C25D21/14;C25D7/12;H01L21/66;H01L21/768 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及利用场与特征对比的TSV浴评估,本文中的实施方式涉及用于确定特定的测试浴是否能够成功地填充衬底上的特征的方法和装置。在各种情况下,所述衬底是半导体衬底,特征是硅通孔。通常使用两个实验第一实验模拟填充工艺中存在于衬底的场区中的条件,以及第二实验模拟填充工艺中存在于衬底上的特征的条件。来自这些实验的输出可以与各种技术使用以预测特定浴是否导致充分填充的特征。 | ||
搜索关键词: | 利用 特征 对比 tsv 评估 | ||
【主权项】:
一种评估受关注的电镀浴中的添加剂是否符合电镀规范的方法,所述方法包括:通过以下步骤进行第一实验:将电极与所述受关注的电镀浴接触,施加电流密度波形至所述电极,其中,所述电流密度波形表示在所述受关注的电镀浴中电镀时衬底的场区经受的电流密度,以及在所述第一实验过程中记录第一电位轨迹输出;通过以下步骤进行第二实验:将第二电极与含有促进剂的促进溶液接触,直到所述第二电极基本上完全被促进,其中基本上完全促进的表面具有吸附的促进剂的浓度为完全促进的表面所需的浓度的至少80%,从所述第二电极漂洗所述促进溶液,将所述第二电极与所述受关注的电镀浴接触,施加第二电流密度波形或电位波形至所述第二电极,其中所述第二电流密度波形或电位波形表示在所述受关注的电镀浴中电镀时所述衬底上的特征内经受的电流密度或电位,当施加第二电流密度波形时,记录第二实验过程中的第二电位轨迹输出,并且当施加电位波形到所述第二电极时,记录第二实验过程中的电流轨迹输出;以及根据从所述第一电位轨迹输出、所述第二电位轨迹输出和电流轨迹输出组成的组中选择的一个或更多个参数和校准数据,判定在所述受关注的电镀浴中的所述添加剂是否符合所述电镀规范,其中,所述电镀规范涉及所述受关注的电镀浴中的所述添加剂经过在可接受的时间段以从下往上的机制充分填充在所述衬底上的所述特征的能力,其中,所述校准数据是通过在已知产生可接受的填充结果的电解液和已知会产生不可接受的填充结果的电解液中执行所述第一和/或第二实验产生的,其中,所述校准数据包括选自下组中的一个或多个参数:阈值电流密度、阈值电荷密度、阈值时间以及阈值电位比率。
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