[发明专利]斜孔刻蚀方法在审
| 申请号： | 201410268396.8 | 申请日： | 2014-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN105329840A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 钦华林 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李芙蓉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种斜孔刻蚀方法，包括以下步骤：采用各向异性的单步刻蚀对晶圆进行刻蚀直至达到斜孔所需的刻蚀深度；去除晶圆表面的掩膜；采用各向同性的单步刻蚀对斜孔的侧壁进行刻蚀，直至达到斜孔所需的侧壁角度；从而在避免斜孔顶部形成碗状(bowing)形貌的同时，实现斜孔较高的刻蚀深宽比。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种斜孔刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：采用各向异性的单步刻蚀对晶圆进行刻蚀，直至达到斜孔所需的刻蚀深度；去除所述晶圆表面的掩膜；采用各向同性的单步刻蚀对所述斜孔的侧壁进行刻蚀，直至达到所述斜孔所需的侧壁角度。
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