[发明专利]一种阻变存储器的制备方法

摘要

本发明涉及半导体领域，旨在提供一种阻变存储器的制备方法。该制备方法包括在衬底上依次组装底电极、阻变介质层和顶电极，阻变介质层材料的制备包括步骤：依次将第一前驱体、惰性气体、第一反应物、惰性气体通入反应器中，使用等离子体增强原子层沉积技术制备若干循环薄膜基质；再依次将第二前驱体、惰性气体、第二反应物、惰性气体通入反应器中，使用等离子体增强原子层沉积技术制备单循环掺杂层；依次循环交替进行上述步骤，得到阻变介质层。本发明能够精确控制阻变介质层薄膜的厚度，制备的薄膜具有高保形性、高致密度，并能实现大面积均匀性。

主权项

一种阻变存储器的制备方法，包括在衬底上依次组装底电极、阻变介质层和顶电极，其特征在于，所述的阻变介质层材料的制备包括以下步骤：(1)依次将第一前驱体、惰性气体、第一反应物、惰性气体通入反应器中，在0.2～2Torr的气压和50～400℃的衬底温度下，使用等离子体增强原子层沉积技术制备若干循环薄膜基质；(2)再依次将第二前驱体、惰性气体、第二反应物、惰性气体通入步骤(1)的反应器中，在0.2～2Torr的气压和50～400℃的衬底温度下，使用等离子体增强原子层沉积技术制备单循环掺杂层；(3)依次循环交替进行上述步骤(1)和步骤(2)125～1000次后，得到单原子层掺杂的叠层薄膜，即用于作为阻变介质层；其中，所述第一前驱体为三甲基铝；所述第二前驱体为钛的金属醇盐(四异丙醇钛、氨基钛、四(二甲氨基)钛)；所述第一反应物为N₂/H₂混合气或者NH₃等离子体，且N₂/H₂混合气中N₂和H₂的体积比为5:1～1:5；所述第二反应物为N₂/H₂混合气、N₂/O₂混合气、NH₃等离子体或者NO_x等离子体，且N₂/H₂混合气中N₂和H₂的体积比为5:1～1:5，N₂/O₂混合气中N₂和O₂的体积比为5:1～1:5；所述惰性气体采用纯度大于99.99％的高纯氩气。