[发明专利]一种片式宽域氧传感器芯片的制作方法

摘要

本发明公开了一种片式宽域氧传感器芯片的制作方法，包括以下步骤：步骤1，将氧化钇稳定氧化锆粉体制成稳定均匀的浆料并流延，剪切形成第一层流延基片、第二层流延基片、第三层流延基片、第四层流延基片、第五层流延基片以及第六层流延基片；步骤2，对第二层流延基片进行打孔形成扩散空腔，对第三层流延基片进行打孔形成扩散通道，对第四层流延基片进行打孔形成反应空腔，对第六层流延基片进行打孔形成导电孔。本发明通过采用有机烧结挥发片填充空腔，同时配合等静压叠合，有效的提高了传感器的强度，另外等静压比传统热层压叠合效果好，且不会对传感器生坯造成内应力，能有效提高传感器的合格率和使用寿命。

主权项

一种片式宽域氧传感器芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，将氧化钇稳定氧化锆粉体制成稳定均匀的浆料并流延，剪切形成第一层流延基片、第二层流延基片、第三层流延基片、第四层流延基片、第五层流延基片以及第六层流延基片；步骤2，对第二层流延基片进行打孔形成扩散空腔，对第三层流延基片进行打孔形成扩散通道，对第四层流延基片进行打孔形成反应空腔，对第六层流延基片进行打孔形成导电孔；步骤3，在第三层流延基片的上表面丝网印刷信号外泵电极和保护层，在下表面丝网印刷有信号内泵电极；在第三层流延基片与第四层流延基片之间印刷有参比电极以及覆盖在参比电极上下表面的第一绝缘层；在第五层流延基片与第六层流延基片之间印刷有加热电极以及覆盖在加热电极的上下表面的第二绝缘层；在第六层流延基片的导电孔中填充电极引脚；步骤4，制备烧结挥发片和环形扩散障碍层，并将扩散障碍层填充在反应空腔内，并将烧结挥发片填充在扩散障碍层与反应空腔的内壁之间；步骤5，将第一层流延基片、第二层流延基片、第三层流延基片、第四层流延基片、第五层流延基片以及第六层流延基片由上而下依次进行叠合，再进行温等静压压制，形成坯材，再对坯材进行切割处理，形成单个芯片生坯；步骤6，进行烧结处理。