[发明专利]一种钙钛矿膜及其制备与应用方法有效

专利信息
申请号: 201410268812.4 申请日: 2014-06-17
公开(公告)号: CN104022185B 公开(公告)日: 2017-01-18
发明(设计)人: 谭占鳌;李聪;侯旭亮;于露;屈江江 申请(专利权)人: 华北电力大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0264
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 代理人: 张文宝
地址: 102206 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于太阳电池技术领域,特别涉及一种钙钛矿膜及其制备与应用方法。本发明采用两步法生成钙钛矿膜,PbI2膜采用溶液加工的方法制备,使得工艺简单,高效。另外两步法有效的提高了膜表面的平整度,大大的降低了载流子在活性层界面的复合,有效提高材料的抗溶剂性能,显著的提高了器件的性能。本发明还具有制备工艺简单,成本低廉,实验重复性好、适合于大规模工业化生产等特点。
搜索关键词: 一种 钙钛矿膜 及其 制备 应用 方法
【主权项】:
一种钙钛矿膜的制备方法,其特征在于:使用两步真空法,得到一层致密的钙钛矿膜;具体方法如下:将卤化铅PbX2前驱体溶液旋涂在空穴传输层上,加热烘干,然后将卤化铅膜移至真空干燥箱内,在卤化铅膜周围撒上烷基卤化胺粉末,盖上培养皿盖,加热使烷基卤化胺挥发出来与卤化铅直接反应生成一层致密的有机金属卤化物钙钛矿层;所述卤化铅PbX2前驱体溶液中PbX2浓度为300mg/mL;所述真空干燥箱内的反应为,在真空的条件下150℃热处理1‑4小时。
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