[发明专利]一种钙钛矿膜及其制备与应用方法有效
申请号: | 201410268812.4 | 申请日: | 2014-06-17 |
公开(公告)号: | CN104022185B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 谭占鳌;李聪;侯旭亮;于露;屈江江 | 申请(专利权)人: | 华北电力大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0264 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人: | 张文宝 |
地址: | 102206 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于太阳电池技术领域,特别涉及一种钙钛矿膜及其制备与应用方法。本发明采用两步法生成钙钛矿膜,PbI2膜采用溶液加工的方法制备,使得工艺简单,高效。另外两步法有效的提高了膜表面的平整度,大大的降低了载流子在活性层界面的复合,有效提高材料的抗溶剂性能,显著的提高了器件的性能。本发明还具有制备工艺简单,成本低廉,实验重复性好、适合于大规模工业化生产等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿膜 及其 制备 应用 方法 | ||
【主权项】:
一种钙钛矿膜的制备方法,其特征在于:使用两步真空法,得到一层致密的钙钛矿膜;具体方法如下:将卤化铅PbX2前驱体溶液旋涂在空穴传输层上,加热烘干,然后将卤化铅膜移至真空干燥箱内,在卤化铅膜周围撒上烷基卤化胺粉末,盖上培养皿盖,加热使烷基卤化胺挥发出来与卤化铅直接反应生成一层致密的有机金属卤化物钙钛矿层;所述卤化铅PbX2前驱体溶液中PbX2浓度为300mg/mL;所述真空干燥箱内的反应为,在真空的条件下150℃热处理1‑4小时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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