[发明专利]场发射体的制备方法有效
| 申请号： | 201410269167.8 | 申请日： | 2014-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105448623B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种场发射体的制备方法，包括提供一碳纳米管层，所述碳纳米管层包括多个微孔及相对的第一表面及第二表面；在所述碳纳米管层的第一表面电镀一第一金属层；在所述碳纳米管层的第二表面电镀一第二金属层，形成一碳纳米管复合层；及断开所述碳纳米管复合层，使所述碳纳米管层断开，在断开处形成多个电子发射端。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种场发射体的制备方法，包括：提供一碳纳米管层，所述碳纳米管层具有相对的第一表面及第二表面，该碳纳米管层包括多个碳纳米管，至少部分碳纳米管间隔设置形成多个微孔；在所述碳纳米管层的第一表面和第二表面分别电镀形成一第一金属层和一第二金属层，形成一碳纳米管复合层；及向所述碳纳米管复合层施加一相对的机械作用力，断开所述碳纳米管复合层，使所述碳纳米管层沿平行于其表面的方向断开为第一子碳纳米管层及第二子碳纳米管层，在断开处形成多个电子发射端。
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