[发明专利]一种菱角型高镁含量Zn1-xMgxO纳米结构及其制备方法无效
申请号: | 201410269920.3 | 申请日: | 2014-06-17 |
公开(公告)号: | CN104091844A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 吕建国;王峰;袁禹亮;江庆军;叶志镇 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/0296 | 分类号: | H01L31/0296;C23C14/08;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人: | 张宇娟 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种“菱角”型高镁含量Zn1-xMgxO纳米结构及其制备方法。所述制备方法采用热蒸发法,所述热蒸发法采用双温区管式炉;工艺上以一定化学计量比的纯锌和纯镁粉研磨混合作为源材料,将一定量的混合物倒入石英舟中,并将石英舟置入石英管底,再将衬底置于石英管口处,最后将石英管放入管式炉,在高纯氧和惰性气体下加热反应,即得到“菱角”型高镁含量Zn1-xMgxO纳米结构。本发明操作过程简单,源材料区域及衬底区域的温度独立控制,工艺参数控制灵活,易于形成新形态的纳米材料。本发明克服了Mg含量超过33%时Zn1-xMgxO纳米合金易发生相分离的技术问题,合成的Zn1-xMgxO三元合金Mg含量在77%~97%,且为呈“菱角”型的纳米结构,为开发ZnMgO基日盲区紫外探测器提供了可能。 | ||
搜索关键词: | 一种 菱角 型高镁 含量 zn sub mg 纳米 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种“菱角”型高镁含量Zn1‑xMgxO纳米结构,其特征在于:所述Zn1‑xMgxO纳米结构,其形貌为每个纳米结构包含四个或者两个逐渐变细的分支,形成“菱角”型纳米结构;且所述Zn1‑xMgxO纳米结构中,x为77%~97%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410269920.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的