[发明专利]一种菱角型高镁含量Zn1-xMgxO纳米结构及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201410269920.3 申请日: 2014-06-17
公开(公告)号: CN104091844A 公开(公告)日: 2014-10-08
发明(设计)人: 吕建国;王峰;袁禹亮;江庆军;叶志镇 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L31/0296 分类号: H01L31/0296;C23C14/08;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 代理人: 张宇娟
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种“菱角”型高镁含量Zn1-xMgxO纳米结构及其制备方法。所述制备方法采用热蒸发法,所述热蒸发法采用双温区管式炉;工艺上以一定化学计量比的纯锌和纯镁粉研磨混合作为源材料,将一定量的混合物倒入石英舟中,并将石英舟置入石英管底,再将衬底置于石英管口处,最后将石英管放入管式炉,在高纯氧和惰性气体下加热反应,即得到“菱角”型高镁含量Zn1-xMgxO纳米结构。本发明操作过程简单,源材料区域及衬底区域的温度独立控制,工艺参数控制灵活,易于形成新形态的纳米材料。本发明克服了Mg含量超过33%时Zn1-xMgxO纳米合金易发生相分离的技术问题,合成的Zn1-xMgxO三元合金Mg含量在77%~97%,且为呈“菱角”型的纳米结构,为开发ZnMgO基日盲区紫外探测器提供了可能。
搜索关键词: 一种 菱角 型高镁 含量 zn sub mg 纳米 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
一种“菱角”型高镁含量Zn1‑xMgxO纳米结构,其特征在于:所述Zn1‑xMgxO纳米结构,其形貌为每个纳米结构包含四个或者两个逐渐变细的分支,形成“菱角”型纳米结构;且所述Zn1‑xMgxO纳米结构中,x为77%~97%。
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