[发明专利]发光器件和照明系统有效
| 申请号： | 201410270175.4 | 申请日： | 2014-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104241474B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 洪起勇 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 顾晋伟,吴鹏章 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种发光器件、制造该发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。该发光器件包括第一导电半导体层(130)；在第一导电半导体层(130)上的AlGaInP基有源层(140)；在AlGaInP基有源层(140)上的第二导电覆层(150)；在第二导电覆层(150)上的具有第一浓度的第二导电GaP层(162)；以及在具有第一浓度的第二导电GaP层(162)上的具有第二浓度的第二导电GaP层(164)，第二浓度高于第一浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 照明 系统 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的AlGaInP基有源层；在所述AlGaInP基有源层上的第二导电覆层；在所述第二导电覆层上的具有第一浓度的第二导电GaP层；在所述AlGaInP基有源层与所述第二导电覆层之间的未掺杂AlInP基层；以及在所述具有第一浓度的第二导电GaP层上的具有第二浓度的第二导电GaP层，所述第二浓度高于所述第一浓度，所述未掺杂AlInP基层的能级高于所述有源层的能级，并且所述未掺杂AlInP基层具有与所述第二导电覆层的能级相同的能级；其中所述第二导电GaP层具有Mg掺杂浓度，以及其中具有所述第二浓度的所述第二导电GaP层具有在1×1017原子/cm3至9×1017原子/cm3的范围内的Mg掺杂浓度；所述发光器件还包括在所述第一导电半导体层的底表面上的反射层，其中所述反射层包括具有镜面结构的分布式布拉格反射器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410270175.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
