[发明专利]一种稀磁半导体的制备方法

摘要

本发明涉及一种稀磁半导体的制备方法，该方法如下：将硝酸锌和硝酸镍的混合物和丙二酸在醇溶液中溶解后加入三乙胺调节pH至出现沉淀，分离出沉淀，用醇溶液洗涤，干燥得到丙二酸配合物，将所述配合物在空气气氛中于400～800℃下煅烧≥2h，得到一种稀磁半导体Zn1‑xNixO，0.05≤x≤0.2。所述方法利用配合物合成达到在氧化锌中均匀掺杂过渡金属镍，煅烧后可获得具有较好磁学性能的稀磁半导体材料。

主权项

一种稀磁半导体的制备方法，其特征在于：所述方法步骤如下：将硝酸盐和丙二酸在醇溶液中溶解得到混合溶液，向混合溶液中加入三乙胺调节pH值至出现沉淀，分离出沉淀；将沉淀用醇溶液洗涤，干燥得到丙二酸配合物，将所述配合物在空气气氛中于400℃～800℃下煅烧大于等于2h，小于等于6h，得到一种稀磁半导体Zn1‑xNixO，0.05≤x≤0.2；所述硝酸盐为硝酸锌和硝酸镍的混合物，硝酸锌与硝酸镍的物质的量之比为(1－x):x，0.05≤x≤0.2；硝酸盐与丙二酸的物质的量之比为1:2；所述醇溶液为甲醇、乙醇、丙醇或异丙醇溶液，溶解和洗涤所用醇溶液为同一种类。