[发明专利]一种裂解聚碳硅烷制备β-SiC/SiO2同轴纳米电缆的方法在审
| 申请号： | 201410270868.3 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN104064288A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李镇江;宋冠英;孟阿兰;孙莎莎 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学 |
| 主分类号： | H01B13/016 | 分类号： | H01B13/016 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266061 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种β-SiC/SiO2同轴纳米电缆的制备方法。该方法以聚碳硅烷为单一原料，以硝酸镍乙醇溶液为催化剂，将聚碳硅烷粉体放在浸有催化剂的石墨基片上，并用碳布将其隔开，置于反应室内。随后将反应室放入真空可控气氛炉，通Ar气，抽真空，并以10℃/min的速率将炉温升到1200℃，保温2小时，聚碳硅烷裂解直接制得直径50nm-80nm，长度达数十μm的β-SiC/SiO2同轴纳米电缆。本发明所用原料单一，合成工艺简单，制得的同轴纳米电缆的表面光滑、形貌均一、纯度高且产量较大，为β-SiC/SiO2同轴纳米电缆在光电子、场发射等领域的实际应用奠定了良好的基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 裂解 硅烷 制备 sic sio sub 同轴 纳米 电缆 方法 | ||
【主权项】：
一种裂解法制备β‑SiC/SiO2同轴纳米电缆，以聚碳硅烷为原料，Ni(NO3)3为催化剂，通过直接裂解聚碳硅烷制备出β‑SiC/SiO2同轴纳米电缆，其特征在于：唯一原料是分子量为1000～2000的固态聚碳硅烷，摩尔浓度为0.01mol/L的Ni(NO3)3乙醇溶液作催化剂，聚碳硅烷裂解是在真空可控气氛炉内进行，反应条件为真空度为50～80Pa，以10℃/min的升温速率升温至1200℃，保温2h。
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