[发明专利]三氯氢硅还原工艺控制方法有效
| 申请号： | 201410271960.1 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104003397A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 游书华;刘汉元;李斌;甘居富;庹如刚 | 申请（专利权）人： | 四川永祥多晶硅有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 冉鹏程 |
| 地址： | 614899 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三氯氢硅还原工艺控制方法，该控制方法包括初步反应控制阶段、稳定反应控制阶段和终了反应控制阶段，在初步反应控制阶段内SiHCl3的流量控制在260m3/h以下，H2的流量控制在520m3/h以下，电流控制在30-1000A之间，在稳定反应控制阶段SiHCl3的流量控制在175-260m3/h之间，H2的流量控制在385-520m3/h之间，电流控制在1000-2000A之间，在终了反应控制阶段SiHCl3的流量控制在130-250m3/h之间，H2的流量控制在360-520m3/h之间，电流控制在100-800A之间。本发明了提高三氯氢硅的产率和降低了能耗，大大降低企业的生产成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 三氯氢硅 还原 工艺 控制 方法 | ||
【主权项】：
三氯氢硅还原工艺控制方法，其特征在于：该控制方法包括初步反应控制阶段、稳定反应控制阶段和终了反应控制阶段，所述初步反应控制阶段的时间为反应开始的前24小时以内，所述稳定反应控制阶段的时间大于24小时且在64小时以内，所述终了反应控制阶段时间大于64小时且在100小时以内，在初步反应控制阶段内SiHCl3的流量控制在260m3/h以下，H2的流量控制在520m3/h以下，电流控制在30‑1000A之间，在稳定反应控制阶段SiHCl3的流量控制在175‑260m3/h之间，H2的流量控制在385‑520m3/h之间，电流控制在1000‑2000A之间，在终了反应控制阶段SiHCl3的流量控制在130‑250m3/h之间，H2的流量控制在360‑520m3/h之间，电流控制在100‑800A之间。
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