[发明专利]ITO薄膜的沉积方法及GaN基LED芯片在审
| 申请号： | 201410272974.5 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN105331936A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 耿波;王厚工;赵梦欣;文莉辉;夏威;陈鹏;刘建生;丁培军 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李芙蓉 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ITO薄膜的沉积方法，采用磁控溅射工艺进行ITO薄膜的沉积，包括以下步骤：利用射频和直流共溅射在基片表面沉积ITO缓冲层；利用DC溅射在所述ITO缓冲层表面沉积ITO薄膜层。其通过射频和直流共溅射，有效降低了溅射粒子对基片表面轰击造成的损伤。此外，本发明还提供了一种GaN基LED芯片，该芯片的ITO透明电极采用本发明的ITO薄膜的沉积方法制备而成。在进行ITO透明电极的沉积时，由于采用本发明的ITO薄膜的沉积方法，有效降低了溅射粒子对GaN基片表面轰击造成的损伤，从而降低了ITO透明电极与GaN基片之间的接触电阻，进而降低了LED芯片的能耗，增加了LED芯片的光电转化效率，提高了LED芯片的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | ito 薄膜 沉积 方法 gan led 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种ITO薄膜的沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：S100，利用射频和直流共溅射在基片表面沉积ITO缓冲层；S200，利用直流溅射在所述ITO缓冲层表面沉积ITO薄膜层。
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